Alumne:
 
Electrònica Analògica

Enginyeria Tècnica en Telecomunicacions (Telemàtica)

1ª Convocatòria. Juny 2003

 

 

Qüestions (2.5 punts)

·          S’accepta una única resposta per qüestió

·          Puntuació: 0.25 punts cada resposta correcta

·          Cada resposta incorrecta en les qüestions 3-10, resta punts .

·          Les qüestions no respostes no resten puntuació.

·          La nota mínima d’aquest apartat és de 0 punts (és a dir si algú tingues la mala sort de respondre incorrectament a totes les preguntes, no tindrà –0.5 punts, en tindrà 0)

·          IMPORTANT: Llegiu amb deteniment cada qüestió i TOTES les opcions proposades abans de respondre

 

 

1.- La zona d’empobriment (o zona de càrrega espacial) d’una unió PN és:

a.       Una zona lliure de carrega que se troba entre les zones tipus P i N

b.       Una barrera construïda per evitar el pas d’electrons de la zona P a la N

c.        Una zona carregada entre les zones tipus P i N, que actua de barrera al pas d’electrons entre les zones N i P.

d.       Una barrera de carrega que impedeix el pas del electrons entre zones.

 

 2.- En un diode ideal 

a.       La tensió que necessita per conduir en directa es Vg=0'7V. i és constant amb el corrent

b.       El corrent que passa per el diode, està relacionat amb la tensió entre l’ànode i el càtode amb l’expressió

  1. El corrent que passa per el diode, quan està polaritzat en directa, no depèn de la tensió aplicada entre l’ànode i el càtode
  2. Totes les afirmacions anteriors son falses

 

3. Si la funció de transferència del circuit de la figura a) es la corba de la figura b) Aleshores, direm que:

a.       Es un rectificador de mitja ona, sempre que l’amplitud del senyal d’entrada  Vi no superi els 5 V.

b.       Es un circuit limitador / retallador

c.        Es un circuit retallador

d.       Es un circuit rectificador-alimentador de 5 V.

 

 

Figura a

Figura b

 

4.         Si  unim els terminals de Drenador y de Porta d’un transistor MOSFET, podem assegurar que

a.        Està romput

  1. Està saturat
  2. està en tall
  3. Està en zona óhmica

 

5.                  Si s’augmenta la intensitat de col·lector en una etapa amplificadora base comú:

a.       Augmenta el guany de tensió

b.       Disminueix el guany de tensió

c.        El guany de tensió no depèn de la intensitat de col·lector, per tant queda igual

  1. Aquesta qüestió no te cap sentit, ja que no se pot modificar la intensitat de col·lector sense que el transistor surti de la zona activa directa

 

6.         Un transistor bipolar pnp, saturat

a.       Els corrents d’emissor i de col·lector entren al dispositiu

b.       El corrent de col·lector és proporcional al corrent d’emissor

c.        El corrent de base és proporcional al corrent de col·lector

d.      Les afirmacions a), b) i c) són falses

 

7.         En un transistor bipolar la unión base-emisor :

a.       Fa la funció de diode en inversa i extreu els electrons que injecta el col·lector.

b.       Fa la funció de diode en directa, la base és l’ànode i l’emissor el càtode. 

c.        Fa la funció de diode zener en inversa. Fixant la tensió a 0.7 V.

d.      Fa la funció de diode en directa. El corrent de base la captura el col·lector.

 

8.         El límit inferior de l’ample de banda d’un amplificador depèn:

a.       De les capacitats paràsites dels connectors d’unió.

b.       De les capacitats paràsites dels transistors. 

c.         De les capacitats de desacoblament.

d.      De totes les capacitats del circuit.

 

9.         L’efecte de substrat en un transistor MOSFET apareix quan:

a.       Els terminals de font i drenador estan a diferent tensió.

b.       Els terminals de font i substrat estan a diferent tensió.. 

c.         Els terminals de drenador i substrat estan a diferent tensió.

d.      Els terminals de porta i substrat estan a diferent tensió..

 

10.       El guany màxim d’una etapa amplificadora bjt val: 

a.        

b.        

c.        

d.           

 

 

Alumne:
 
Electrònica Analògica

Enginyeria Tècnica en Telecomunicacions (Telemàtica)

1ª Convocatòria. Juny 2003

 

PROBLEMES

 

Problema 1

 

Calculeu la funció de transferencia del circuit de la figura P1: 

Dades:VgD1=VgD2 = 0'7 V.;V1 = 5 V.;R1 = R3 =  1 KW.; R2 =  2 KW.;

 

Figura P1

 

Problema 2

En el circuit amplificador de la figura P2, el punt de treball de T1 es IC1=  0'1 mA .

figura P2

2.1               Calculeu la freqüència de tall inferior

2.2               Les capacitats internes del transistor son Cbe=  30pF y Cbd= 2pF. Calculeu la freqüència de tall superior.

2.3              Dibuixeu el diagrama de Bode (amplitud i fase) corresponent al guany en tensió.

 

Les característiques del transistor son:  VBE =0'6 V. ; b =300

Els valors dels components són:   R1=10'4KW; R2=1'6KW; R3=50KW; R4=10KW; Rg= 50W;

C1=Capacitat infinita; C2=100mF.

VCC=12V.

 

 

 

 

 

Problema 3

El circuit amplificador de la figura P3, està format per un transistor MOSFET de canal "n".

figura P3

Les característiques del transistor són:

Vt =1 V. ; k=10 mA/V2 ;

3.1 Calculeu el punt de treball del transistor si els valors de les resistencies son:

R1=90KW; R2=30KW; R3=1KW; R1=0'2KW

3.2   Calculeu el guany de tensió a frequències mitges (considereu que C1=C2= Capacitat infinita; Resistencia  "ro" del transistor infinita)

3.3  Calculeu l’amplitud màxima de sortida que podem obtenir sense distorsio. A quin nivell d’amplitud d’entrada correspon ?