CUESTIONES
Justifica de manera breve y razonada si las siguientes
afirmaciones son ciertas o no:
- Los huecos se comportan como:
- Una partícula cargada positivamente en el
interior del semiconductor.
- Una partícula cargada negativamente en el interior
del semiconductor.
- SON partículas positivas que se crean en el
interior del semiconductor.
Un hueco es la vacante que deja un electrón en un
enlace. No es una partícula real, sino que es simplemente una partícula
imaginaria que introducimos para facilitar el cálculo.
- Los semiconductores intrínsecos:
- Tienen mayor número de electrones que de huecos.
- Tienen menor número de electrones que de huecos.
- Tienen igual número de electrones que de
huecos.
Los semiconductores intrínsecos no tienen
impurezas, por lo que el número de electrones y huecos es el mismo.
- La difusión tiende a:
- Aumentar las concentraciones.
- Homogeneizar las concentraciones.
- Destruir los semiconductores.
Una diferencia en la concentración de portadores entre dos puntos crea una
corriente que tiende a redistribuir la carga de manera uniforme.
- Para estabilizar una tensión en continua:
- Un diodo zéner en zona zéner conectado a tierra
es una buena opción.
- Un diodo en polarización inversa conectado a
tierra es una buena opción.
- Un puente de diodos es una buena opción.
Un diodo zéner en zona zéner nos proporciona una
diferencia de potencial muy constante y es, por tanto, una buena opción. La
opción b) no estabiliza la tensión, y la opción c) sirve para rectificar una
tensión alterna y convertirla en continua.
- En una unión PN:
- La capacidad de transición, que es la dominante en
polarización directa, aumenta a medida que aumenta el valor de
polarización.
- La capacidad de difusión, que es la dominante en
polarización inversa, disminuye a medida que se polariza más
inversamente.
- La capacidad de difusión domina en polarización
directa y la de transición en inversa, y ambas aumentan con el valor de
polarización.
- Ninguna de las afirmaciones anteriores es
correcta.
...
- Los procesos de difusión:
- Aunque suponen movimientos de carga, no dan lugar
a corrientes eléctricas en el
semiconductor.
- Aunque no suponen movimientos de carga, dan lugar
a corrientes eléctricas en el
semiconductor.
- Suponen movimientos de carga, que dan lugar
a corrientes eléctricas en el
semiconductor.
Un proceso de difusión supone una redistribución de
la carga, implicando por tanto un movimiento de ésta. Y un movimiento de carga
es, por definición, una corriente.
- La potencia máxima que puede disipar un diodo:
- Es constante y no depende de la temperatura
ambiente a la que trabaja dicho diodo.
- Depende de la temperatura máxima de operación y
su resistencia térmica.
- Es la misma para todos los diodos y sólo depende
de la concentración de portadores mayoritarios.
Si estamos
por encima de la temperatura de referencia Ta, entonces la potencia máxima que
puede disipar un diodo depende de estas variables.
- El modelo más adecuado para hacer cálculos manuales
en un circuito complejo:
- El modelo exponencial (
)
- Una fuente de tensión de valor Vg
o bien un circuito abierto, dependiendo del valor de la tensión en bornes
del diodo.
- El modelo de diodo en pequeña señal.
Si un
circuito complejo es un circuito con más de dos diodos, entonces el modelo más
adecuado es el modelo de VT, ya que es el único que nos permite
plantear las ecuaciones de manera resoluble analiticamente. La opción c)
implica conocer el punto de trabajo, para lo que se debe haber realizado
previamente un cálculo en DC, que debe realizarse con la opción b)
- La resistencia de un semiconductor dopado con NA=1019cm-3
es:
- Menor que la de otro dopado con NA=1017cm-3
- Mayor que la de otro dopado con NA=1020cm-3
- Las dos respuestas anteriores son falsas.
- Las dos primeras respuestas son verdaderas.
(Ver el ejercicio 2) La resistencia de un semiconductor fuertemente dopado
va como 1/NA. Por tanto, al aumentar NA, disminuye la
resistencia.
- El modelo
del diodo en pequeña señal:
- Es válido siempre y es la mejor opción para hacer
cálculos manuales en circuitos complejos.
- Sólo lo podemos usar cuando ya conocemos el
punto de trabajo.
- Las dos respuestas anteriores son falsas.
El modelo del diodo en pequeña señal se
usa (cuando ya conocemos en punto de trabajo) para poder resolver circuitos que
presentan señales alternas. Si no conocemos el punto de trabajo, no lo podemos
calcular (rd=nVT/IDQ, con IDQ la
corriente que circula por el diodo en continua)